15180 fujitsu eternus nomacom

Fujitsu Eternus AF

Pamięć Fujitsu Eternus AF to maksimum korzyści wynikających ze stosowania pamięci typu flash. Oszczędzaj czas i pieniądze dzięki takim funkcjonalnościom jak: około 500 razy krótsze czasy reakcji, wyższa niezawodność, a także mniejsze zużycie energii do zasilania i chłodzenia w porównaniu z dyskami tradycyjnymi.

Fujitsu Storage Eternus AF250

Fujitsu Eternus AF250 to doskonałe rozwiązanie do zwiększenia wydajności w obsłudze zadań kluczowych, bez konieczności wykonywania skomplikowanej konfiguracji. W związku z tym świetnie sprawdza się jako pamięć ogólnego zastosowania do wszystkich aplikacji poziomu 1 w firmach małej i średniej wielkości.

Fujitsu Eternus AF250 – cechy i korzyści

W oparciu o standardową architekturę serii ETERNUS DX

  • konstrukcja zoptymalizowana pod kątem wydajności
  • sprawdzona i dopracowana technologia
  • dostępność systemu na poziomie 99,999%
  • wspólne zarządzanie wszystkimi systemami pamięci masowej ETERNUS (opartymi tylko na pamięci flash, a także hybrydowymi)

Elastyczna pamięć zoptymalizowana pod kątem standardu flash

  • niezwykle krótkie czasy reakcji w przypadku wszystkich aplikacji
  • ogromny wzrost wydajności IOPS
  • brak skomplikowanych czynności regulacyjnych
  • skalowalność w zakresie pojemności i łączności

Selektywne stosowanie deduplikacji/kompresji

  • możliwość pracy z etykietą woluminu lub bez niej
  • redukcja kosztów korzystania z pamięci flash
  • zwiększona żywotność pamięci flash

Automatyczne zarządzanie jakością usług

  • kontrola priorytetów aplikacji zgodnie z potrzebami biznesowymi
  • automatyzacja monitorowania i regulacji
  • minimalizacja obciążeń administracyjnych
  • gwarantowane poziomy usług

Opcja Storage Cluster/Niezauważalne przełączenie

  • zapobieganie planowanym i nieplanowanym przestojom
  • pełne bezpieczeństwo danych i gwarancja nieprzerwanego działania

Dobra wydajność dostępu i latencja

  • Wydajność w przypadku dostępu swobodnego: do 430 000 IOPS (bloki po 4 KB)
  • Wydajność w przypadku dostępu sekwencyjnego: maks. 12 GB/s (bloki po 128 KB)
  • Opóźnienie: poniżej 1 ms (4 KB)

 

  • zapewnienia odpowiednią wydajność dla wszystkich aplikacji wymagających wysokiego tempa transferu danych i krótkich czasów reakcji

Fujitsu Storage Eternus AF650

Fujitsu Eternus AF650 obsługuje wszystkie typy pamięci flash, a także zapewnia najwyższą wydajność oraz automatyczne zarządzanie jakością usług. Doskonale sprawdza się w przypadku konsolidowania danych z baz o dużej skali, aplikacji o kluczowym znaczeniu dla firmy oraz dużych ilości danych.

Fujitsu Eternus AF650 – cechy i korzyści

W oparciu o standardową architekturę serii ETERNUS DX

  • konstrukcja zoptymalizowana pod kątem wydajności
  • sprawdzona i dopracowana technologia
  • dostępność systemu na poziomie 99,999%
  • wspólne zarządzanie wszystkimi systemami pamięci masowej ETERNUS (opartymi tylko na pamięci flash i hybrydowymi)

Elastyczna pamięć zoptymalizowana pod kątem standardu flash

  • niezwykle krótkie czasy reakcji w przypadku wszystkich aplikacji
  • ogromny wzrost wydajności IOPS
  • brak skomplikowanych czynności regulacyjnych
  • skalowalność w zakresie pojemności i łączności

Selektywne stosowanie deduplikacji/kompresji

  • możliwość pracy z etykietą woluminu lub bez niej
  • redukcja kosztów korzystania z pamięci flash
  • zwiększona żywotność pamięci flash

Automatyczne zarządzanie jakością usług

  • kontrola priorytetów aplikacji zgodnie z potrzebami biznesowymi
  • automatyzacja monitorowania i regulacji
  • minimalizacja obciążeń administracyjnych
  • gwarantowane poziomy usług

Opcja Storage Cluster/Niezauważalne przełączenie

  • unikanie planowanych i nieplanowanych przestojów
  • 100-procentowe bezpieczeństwo i ciągłość pracy

Dobra wydajność dostępu i latencja

  • Dostęp losowy: do 620 000 IOPS (bloki 4 KB)
  • Dostęp sekwencyjny: maks. 23 GB/s (bloki 128 KB)
  • Latencja: poniżej 1 ms (bloki 4 KB)
  • zapewnienia odpowiednią wydajność dla wszystkich aplikacji wymagających wysokiego tempa transferu danych i krótkich czasów reakcji